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车用SGT MOSFET

车用SGT MOSFET

SGT MOSFET是对Trench MOS的⼀种土壤改良框架。较经典Trench MOSFET,SGT MOSFET在栅金属电级正下方增长了⼀块多晶硅金属电级,即手机手机屏蔽掉金属电级或称解耦金属电级。手机手机屏蔽掉金属电级与源金属电级相连接,即控制了手机手机屏蔽掉栅极与漂移区的作⽤,减改小⽶勒滤波电容,元件的触点按钮开关时间获得促进,时候⼜控制了带电粒子解耦负效应,减改小漂移区临界点磁场刚度,元件的导通功率电阻获得增加,触点按钮开关损耗量够更低。
Part Number VDS (V) ID (A) 25℃ PD(W) 25℃ RDS(ON)(mΩ)
(VGS=10V)(Max)
Qg(nC)(VGS=10V)
(Typ)
VGS(V) VGS(th)(V)
(Typ)
Package 是否符合车规要求
RMD100N15S-AU 150 60 128 10 25 20 3.3 PDFN5*6
RMD080N10S-AU 100 69 72 8 62 20 3.3 PDFN5*6
RMD040N10S-AU 100 100 86 4 99 20 3.3 PDFN5*6
RMR020N10S-AU 100 188 352 2 186 20 3.3 TOLL
RMR015N08S-AU 80 300 278 1.5 218 20 3.3 TOLL
RMD090N06SL-AU 60 45 30 9 24 20 1.8 PDFN5*6
RMD060N06SL-AU 60 56 33 6 35 20 1.8 PDFN5*6
RMB024N06SL-AU 60 160 125 2.4 80 20 1.8 TO-220
RMD024N06SL-AU 60 160 125 2.4 80 20 1.8 PDFN5*6
RMR015N04SL-AU 40 160 125 1.5 89 20 1.6 TOLL